RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2498
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link