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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
3,573.5
14.7
写入速度,GB/s
1,308.1
8.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2498
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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