RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link