RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2654
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link