RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
63
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
63
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2543
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link