RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2337
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link