RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
64
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2052
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link