RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
64
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
64
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2052
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link