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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
64
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
64
读取速度,GB/s
15.0
16.8
写入速度,GB/s
10.3
8.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2052
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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