RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3310
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link