Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

総合得点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16.4

テスト平均値

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

考慮すべき理由
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 54

周辺 -80% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.1 1,308.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 5300

周辺 4.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

54 30
読み出し速度、GB/s

3,573.5 16.4
書き込み速度、GB/秒

1,308.1 13.1
メモリ帯域幅、mbps

5300 23400

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

371 3310

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB