RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3054
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link