RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2898
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link