RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3768
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link