RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3465
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link