RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
1768
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link