RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3023
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link