RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2605
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link