RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
1970
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link