RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
72
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2597
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link