RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3692
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link