RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
72
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2561
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link