RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
72
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3396
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link