RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
72
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3545
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link