RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3876
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link