RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
72
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2581
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link