RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
72
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2865
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link