RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
72
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2865
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link