RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
72
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3116
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link