RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2595
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link