RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
85
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1277
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link