RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3729
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link