Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 12.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 25
    Wokół strony -14% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 12.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 1886
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania