RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1886
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link