RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
1699
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link