RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3505
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link