RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2586
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link