RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
64
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3180
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link