RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
64
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3594
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link