RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3442
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link