RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
1511
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link