RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
4039
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link