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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
10.9
18.7
写入速度,GB/s
6.6
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
4039
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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