RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link