RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link