RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link