RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3731
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link