RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
64
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2686
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link