RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3933
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link