RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
24
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
24.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
4156
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link