RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3260
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link