RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
64
Por volta de -178% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3260
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link